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靜電測(cè)試平臺(tái)ETP-2-HBM-MM

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更新時(shí)間:2025-07-13 09:33:36瀏覽次數(shù):117

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品概述:ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述:
ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用,可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。    

主要特點(diǎn):

 ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì),分HBM靜電測(cè)試平臺(tái)和MM靜電測(cè)試平臺(tái)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用,特別適用于如LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件的測(cè)試。

符合標(biāo)準(zhǔn):

ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、JEDEC EIA/JESD22

ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

ETP-2_HBM

ETP-2_MM

放電網(wǎng)絡(luò)

100pF /1500Ω

200pF/0Ω

輸出電壓

8kV(20kV選配)

800V(4kV選配)

放電次數(shù)

1~9999

輸出極性

正 / 負(fù)

放電方式

手動(dòng) / 自動(dòng) 


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