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PSM位置傳感模塊-位置傳感器模塊 產(chǎn)品描述：
PSM位置傳感模塊-位置傳感器模塊 是封裝的位置傳感探測(cè)器，可搭配On-Trak的OT-301SL、OT-301DL或OT-301位置傳感放大器一起使用，提供與探測(cè)器活動(dòng)區(qū)域上光斑位置成正比的模擬輸出。PSM系列是一種即插即用的解決方案，所有PSMs都包含一個(gè)微型9針連接器，可以直接插入任何On-Trak的位置傳感放大器，接通電源即可使用，操作非常簡單。
每個(gè)模塊都包含一個(gè)線性、雙邊、四邊或象限位置傳感探測(cè)器，可從幾個(gè)不同的PSM組件配置中進(jìn)行選擇。所有模塊都易于封裝，允許同時(shí)監(jiān)測(cè)位置和光強(qiáng)度。PSM位置傳感模塊有兩種封裝尺寸：標(biāo)準(zhǔn)型和緊湊型。標(biāo)準(zhǔn)尺寸為2.8英寸x 2.45英寸x 1.125英寸。緊湊型尺寸為1.25英寸x 1.25英寸x 0.975英寸。PSM可在惡劣的環(huán)境照明條件下工作。每個(gè)模塊都可以具有一個(gè)完整的可選過濾器范圍，以減少環(huán)境光引起的噪音影響。此外，每個(gè)模塊都包含一個(gè)過濾器支架，無需額外費(fèi)用。所有的PSM都有標(biāo)準(zhǔn)的安裝孔，便于安裝在現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備上，易操作，可在幾分鐘內(nèi)運(yùn)行設(shè)備。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
- 封裝的位置傳感探測(cè)器
- 硅線性:400-1100 nm
硅雙邊:400-1100nm
硅象限:400-1100 nm
鍺四邊形:800-1800 nm
- 即插即用設(shè)計(jì)
- 與所有On-Trak位置傳感放大器兼容
- 可在惡劣的環(huán)境照明條件下工作
- 標(biāo)準(zhǔn)安裝孔
- 可拆卸的濾光片支架適配器
- 堅(jiān)固的鋁制外殼
On-trak PSM組件：
技術(shù)參數(shù)（* 用于調(diào)零應(yīng)用）：
| 型號(hào) | 有效區(qū)域 (mm) | 探測(cè)器 | 波長范圍 | 封裝 | 典型分辨率 | 典型線性度 |
| PSM 1-2.5 | 2.5 x 0.6 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 62.5 nm | 0.1% |
| PSM 1-5 | 5.0 x 1.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 125 nm | 0.1% |
| PSM 1-10 | 10.0 x 2.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 250 nm | 0.1% |
| PSM 1-20 | 20.0 x 3.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 500 nm | 0.1% |
| PSM 1-30 | 30.0 x 4.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 750 nm | 0.1% |
| PSM 2-2 | 2.0 x 2.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 50 nm | 0.3% |
| PSM 2-3I | 3.0 x 3.0 | Quadrant InGaAs | 900-1700 nm | 緊湊 | 100 nm | N/A* |
| PSM 2-4 | 4.0 x 4.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 100 nm | 0.3% |
| PSM 2-4Q | 4.0 x 4.0 | Quadrant Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 100 nm | N/A* |
| PSM 2-5G | 5.0 x 5.0 | Pincushion Tetralateral Germanium | 800-1800 nm | 緊湊 | 5 μm | – |
| PSM 2-10 | 10.0 x 10.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 250 nm | 0.3% |
| PSM 2-10Q | 9.0 x 9.0 | Quadrant Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 100 nm | N/A* |
| PSM 2-10G | 10.0 x 10.0 | Pincushion Tetralateral Germanium | 800-1800 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 5 μm | – |
| PSM 2-20 | 20.0 x 20.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 500 nm | 0.3% |
| PSM 2-45 | 45.0 x 45.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 1.25 μm | 0.3% |
標(biāo)簽:傳感器
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